Magnetic treatment of semiconductor silicon

Автори

Максим Ковзель
Дніпропетровський Науково-Дослідний Експертно-Криміналістичний Центр МВС України
https://orcid.org/0000-0001-5720-1186
Ольга Носко
Інститут промислових та бізнес технологій українського державного університету науки і технологій
https://orcid.org/0000-0002-5749-7578

Ключові слова:

Кремній, магнітне поле, легування, дефекти кристалічної решітки, сонячні концентратори, альтернативна енергія, автоматизація виробництва, тверді побутові відходи, паливо, отримане з відходів, термічний розклад, енергоефективність, спільне спалювання, біомаса, викиди парникових газів, енергетичний баланс, конвективна сушка, екологічна безпека, кристалічна структура, фазові перетворення, комп'ютерне моделювання

Анотація

У даній публікації розглядається вплив магнітного поля на мікроструктуру Cz-Si, легованого Al, Mg, Cu, Fe, Zr, Hf. Справа в тому, що ці домішки по-різному впливають на енергію взаємодії атомів кремнію в його кристалічній решітці і по-різному поводяться при обробці магнітним полем. У цьому контексті вперше розглянуто проблему обробки кремнію.

Встановлено, що домішки (Al, Mg, Cu, Fe), які зменшують енергію взаємодії атомів у кристалічній ґратці кремнію, призводять до збільшення дефектності структурних одиниць кремнію після 240 годин обробки в магнітному полі, тоді як після 720 годин відбувається зменшення кількості таких дефектів.

Для Cz-Si, легованого Zr, Hf (ці домішки збільшують енергію взаємодії кристалічної решітки кремнію), спостерігається зменшення кількості дефектів у структурних одиницях, починаючи з 240 годин витримки в магнітному полі.

Методом рентгенівської дифракції виявлено появу нових піків на кутах розсіювання 90-92 градуси, що пов'язано зі спотворенням решітки SiFCC і утворенням поряд з нею орторомбічного Si. Це свідчить про фазові перетворення в зразках напівпровідникового кремнію під час магнітної обробки при кімнатній температурі.


ENERGY SYSTEMS AND RESOURCES: OPTIMISATION AND RATIONAL USE

##submission.downloads##

Сторінки

3-53

Опубліковано

грудня 30, 2024

Ліцензія

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Деталі щодо доступних видів видань: PDF

PDF

ISBN-13 (15)

978-617-8360-02-3

Як цитувати

Ковзель, М., & Носко, О. (2024). Magnetic treatment of semiconductor silicon. в T. Baydyk (ред.), ENERGY SYSTEMS AND RESOURCES: OPTIMISATION AND RATIONAL USE (с. 3–53). Kharkiv: ПП "ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР". https://doi.org/10.15587/978-617-8360-02-3.ch1